2019-yilning dekabrida Xitoy Xalq Respublikasi patent idorasi OʻzR FA Genomika va bioinformatika markazi olimlari tomonidan yaratilgan paxta genlarini nokaut qilish (oʻchirish) innovatsion texnologiyasi boʻyicha patent arizasini tasdiqladi.

Yurtimiz olimlari ishlab chiqqan paxta genini nokaut qilish texnologiyasi Oʻzbekiston, AQSH, Misr va Rossiyada patentlar hamda xalqaro RCT patentini olgan. Yana bir patent jahon miqyosida litsenziyalash imkoniyatlarini kengaytirmoqda.

Taʼkidlash kerakki, Xitoy paxta ishlab chiqarish va undan foydalanish boʻyicha jahonda yetakchilardan biri hisoblanadi. Bundan tashqari, Xitoy paxtaning yuqori sifatli va hasharotlarga chidamli hamda yangi patogen navlarini yaratishda zamonaviy biotexnologik usullardan keng foydalanmoqda. Shuning uchun ham olimlarimiz texnologiyasi uchun Xitoyda patent olinishi tijoratlashtirish uchun katta imkoniyatlarni ochadi.

Hozirgi kunda Oʻzbekiston hukumati ilmiy tadqiqotlarni rivojlantirish va ularning natijalarini tijoratlashtirishga katta eʼtibor qaratmoqda. Olimlar uchun yangi imkoniyatlar ochib, ular mehnatining samarasini mamlakat manfaati yoʻlida samarali amalga oshirishga hissa qoʻshadigan koʻplab qaror va farmonlar eʼlon qilindi. Bu omillar xorijdagi mahalliy olimlarning yangi innovatsion ishlanmalarini patentlash ishlarini yanada mustahkamlaydi.

Paxta genlarining nokaut (oʻchirish) texnologiyasi oltinchi avlod innovatsion texnologiyasi hisoblanadi. U 2008-yilda oʻzbek olimlari tomonidan ixtiro qilingan boʻlib, Oʻzbekiston hukumati koʻmagida olib borilgan keyingi tadqiqotlar “Porloq“ gʻoʻza turkumidagi yuqori hosilli, barvaqt pishuvchi, uzun tolali, qurgʻoqchilikka va tuzga chidamli biotexnologik navlarning yaratilishiga olib keldi. Mazkur texnologiya dunyoda ilk bora paxtaning bir vaqtning oʻzida bir nechta qimmatli xususiyatlarini takomillashtirish imkonini berdi. Aynan muayyan navning bir nechta xususiyatlarini bir paytning oʻzida oʻzgartirish paxta seleksiyasida asosiy muammo hisoblanadi. Natijada yangi navlarning oʻrtacha hosildorligi gektariga 40 sentnerga yetdi, 4.2 mikroneyrli, -37.9 (Str) pishiqlikdagi va tola uzunligiga 38-40 mm boʻlgan yuqori sifatli tola olish imkonini berdi.